કેપેસિટર એકમ
01
6-35kV ઉચ્ચ વોલ્ટેજ કેપેસિટર બેંક ઇન્ડોર
વર્ણન2
તકનીકી પ્રદર્શન સૂચકાંક
1. કેપેસીટન્સ વિચલન: 0 થી + 5%, ત્રણ તબક્કામાં કોઈપણ બે લાઇન ટર્મિનલ વચ્ચે માપવામાં આવેલ લઘુત્તમ કેપેસીટન્સ અને મહત્તમ કેપેસીટન્સનો ગુણોત્તર 1.02 થી વધુ ન હોવો જોઈએ.
2. ડાઇલેક્ટ્રિક નુકશાન સ્પર્શક Tan δ: રેટેડ વોલ્ટેજ UN હેઠળ 20 ℃ પર સંપૂર્ણ ફિલ્મ ડાઇલેક્ટ્રિક માટે Tan δ ≤ 0.03%.
3. સતત ઓપરેશન વોલ્ટેજ 1.0un છે, અને લાંબા ગાળાના ઓવરવોલ્ટેજ 1.1un કરતાં વધુ નથી.
4. વર્તમાન પર સ્થિર સ્થિતિ (હાર્મોનિક વર્તમાન સહિત) 1.43in કરતાં વધુ ન હોવી જોઈએ.
5. કેપેસિટર બાહ્ય ઇન્સ્યુલેશનનું વિશિષ્ટ ક્રીપેજ અંતર 25mm/kV કરતા વધારે છે.
6. કેપેસિટર શેલની વિસ્ફોટ ઊર્જા 15kj કરતાં ઓછી નથી.
7. કેપેસિટર નુકસાન વિના 8 ની ધરતીકંપની તીવ્રતાનો સામનો કરી શકે છે.
8. સ્થાપન અને કાર્યક્ષેત્રની ઊંચાઈ 1000m થી વધુ ન હોવી જોઈએ.
9. ઇન્સ્ટોલેશન અને ઓપરેશન એરિયાની આસપાસની હવાના તાપમાનની શ્રેણી છે - 25 ～ + 45 ℃.
10. જ્યારે ઓપરેશનમાં મૂકવામાં આવે છે, ત્યારે ટર્મિનલ પર શેષ વોલ્ટેજ 0.1un કરતાં વધુ ન હોવો જોઈએ
11. ઇન્સ્ટોલેશન અને ઓપરેશન સાઇટ ગંભીર યાંત્રિક કંપન, હાનિકારક ગેસ અને વરાળ, વાહકતા અને વિસ્ફોટક ધૂળથી મુક્ત હોવી જોઈએ.
વર્ણન2
માળખું
1. કેપેસિટર મુખ્યત્વે શેલ, કોર અને આઉટલેટ બુશિંગથી બનેલું છે. શેલને પાતળા સ્ટીલ પ્લેટ અથવા સ્ટેનલેસ સ્ટીલ પ્લેટ સાથે વેલ્ડ કરવામાં આવે છે, અને કવરને આઉટલેટ બુશિંગ સાથે વેલ્ડ કરવામાં આવે છે. ઇન્સ્ટોલેશન અને લિફ્ટિંગ માટે બંને બાજુની દિવાલને હેંગિંગ ક્લાઇમ્બિંગ પ્લેટ સાથે વેલ્ડિંગ કરવામાં આવે છે. કોર ઘટકો અને ઇન્સ્યુલેટીંગ ભાગોથી બનેલો છે. ઉપકરણ પોલીપ્રોપીલિન ફિલ્મ અને એલ્યુમિનિયમ ફોઇલ (પ્લેટ) અથવા પોલીપ્રોપીલિન ફિલ્મ અને કેપેસિટર પેપરથી બનેલું છે.
2. હાઇ-વોલ્ટેજ શંટ કેપેસિટરનું આંતરિક જોડાણ સામાન્ય રીતે સિંગલ-ફેઝ હોય છે, અને જ્યારે વપરાશકર્તાઓને તેની જરૂર હોય ત્યારે ત્રણ-તબક્કાના ઉત્પાદનો પ્રદાન કરી શકાય છે.
3. કેટલાક ઉચ્ચ વોલ્ટેજ શંટ કેપેસિટરમાં દરેક ઘટક આંતરિક ફ્યુઝ સાથે જોડાયેલ છે, જે કેપેસિટરની સામાન્ય કામગીરીને સુનિશ્ચિત કરવા માટે સમયસર વ્યક્તિગત બ્રેકડાઉન ઘટકોને કાપી શકે છે.
4. કેટલાક ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ શંટ કેપેસિટર ડિસ્ચાર્જ ઉપકરણોથી સજ્જ છે, જે 10 મિનિટની અંદર કેપેસિટરના શેષ વોલ્ટેજને √ 2un થી 75V ની નીચે ઘટાડી શકે છે. ખરીદનારની જરૂરિયાતો અનુસાર, ઉપકરણને ઓછા સમયમાં ઓછા વોલ્ટેજ સુધી ઘટાડી શકાય છે.
BAM11-50-1W